본문바로가기
닫기
公司简介
致辞
蓝图
沿革
技术研究所
组织图
合作公司及主要客户
来访之路
事业领域
半导体
显示器
环保能源
一般
产品简介
半导体
显示器
环保能源
一般
投资信息
公告
公告信息
客服中心
公告事项
资料室
客户咨询
LANGUAGE
KO
EN
CN
半导体
显示器
环保能源
一般
半导体
All
凹凸光刻胶
I-线光刻胶
KrF光致抗蚀剂
TSV厚膜光阻
BARC
TARC
显影剂
腐蚀剂
Promoter
冲洗溶液
旋装式碳膜
CMP
Wafering
全部
8
贴文
标题
内容
名称
CMP
CMP(化学机械平面化或抛光)将圆片贴附在以聚氨酯制造的抛光垫上的状态下，将含数百nm大小的抛光剂（有研磨作用的）的泥浆分散在抛光垫表面，诱导薄膜的化学反应，将贴有支持圆片的抛光载体与抛光垫的抛光板高速旋转，将重整的薄膜表面机械性去除，将因元件配线的绝缘膜段差弄平坦，并分离元件分离的半导体前工程可使用。
YPCC-2000
化学机械抛光后的腐蚀控制和腐蚀去除。
YCBW-H609
低选择性的钨层抛光，以达到有效的钨表面抛光和去除划痕的目的。
YCLW-S804
用于钨/氧化层的可调选择性抛光浆和最小研磨。
YCHT-S902
高选择性抛光浆体钨去除和最小的侵蚀。
SD-100
抛光浆液用于去除铜障金属层，同时伴有腐蚀和划痕控制。
YCHC-S711
半导体铜势垒金属抛光用浆料。选择性/非选择性抛光的替代品。
NTS-300
半导体二氧化硅/聚氮化物层抛光用浆料。选择性/非选择性抛光的替代品。
1
