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YPP-S10K

Photoresist 조성물의 작용 기전은, 노광 공정에서 광원을 받은 광산 발생제에서 산이 형성되고 이 산이 Photoresist 수지의 산 촉매 반응을 일으킵니다. 이때 positive Photoresist 조성물은 탈 보호 반응이 일어나며, 이런 반응을 통해서 노광 된 부분과 노광이 안 된 부분의 현상액에 대한 용해도 차이를 갖게 하여 패턴을 형성하게 됩니다.
YPP-3002

포토레지스트 조성물의 작용 기전은, 노광 공정에서 광원을 받은 광산 발생제에서 산이 형성되고 이 산이 포토레지스트 수지의 산 촉매 반응을 야기합니다. 이때 포지티브 포토레지스트 조성물은 탈보호 반응이 일어나며, 이런 반응을 통해서 노광된 부분과 노광이 안 된 부분의 현상액에 대한 용해도 차이를 갖게 하여 패턴을 형성하게 됩니다.
YGR-4100AL

Metal stripper (Batch type)
YMR-1600 / YMR-1700

Etch 공정 후 존재하는 불순물들을 제거하기 위하여 활용하는 물질입니다.
YNIL-HR

-Organic-Inorganic Hybrid, Heat-resistance,
-Easy release, Transparency
YNIL-M1 / M2 / M3

-Transparency, Easy release, Young's modulus(100~1000MPa)
-Dimension error < 5%(tunable shrinkage 1~5% ), Contact angle(60°~90°),
-Flexible & Bendable
YNIL-R1 / R2 / R3

UV curable, Inkjet type, Transparency, Tunable viscosity, Good wetting, Strong adhesion force to the wafer and the polymer substrate, Residual layer: Below 50nm
YTNP-2030

Transparent Photoresist
YTNP-2015

Transparent Photoresist
YTNP-2005

Transparent Photoresist

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