본문바로가기
닫기
公司简介
致辞
蓝图
沿革
技术研究所
组织图
合作公司及主要客户
来访之路
事业领域
半导体
显示器
环保能源
一般
产品简介
半导体
显示器
环保能源
一般
投资信息
公告
公告信息
客服中心
公告事项
资料室
客户咨询
LANGUAGE
KO
EN
CN
半导体
显示器
环保能源
一般
半导体
All
凹凸光刻胶
I-线光刻胶
KrF光致抗蚀剂
TSV厚膜光阻
BARC
TARC
显影剂
腐蚀剂
Promoter
冲洗溶液
旋装式碳膜
CMP
Wafering
全部
8
贴文
标题
内容
名称
旋装式碳膜
随着半导体元件模式大小减少，在打造70nm以下模式时，利用原有的PR减少厚度时，在Etch工程中按照所要求厚度刻模式时，光致抗蚀剂具有崩溃的可能性。
为改善这一点，应使用SOC聚合物，在SOC聚合物层上面实用光致抗蚀剂，在Etch工程中按照所要求厚度刻模式，也可防治光致抗蚀剂崩溃，作为支持体使用。
YS-210
-目标:厚度 0.21um
-用途 :常规SOC
YGHS-178
-目标:厚度 0.178um
-用途 : 金属层
YCHS-3814
-目标:厚度0.14um
-用途 : 平坦化制程
YCHS-4359
-目标:厚度0.59um
-用途 : CIS装置
YCHE-3731
-目标:厚度0.31um
-用途 : 金属层
AYCHS-2819
-目标:厚度0.19um
-用途 : CIS装置
YHS-140
-目标:厚度0.13um
-用途 : 金属层
1
