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透明光刻胶
UV压印树脂
剥离剂
LED
LCD
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贴文
标题
内容
名称
LCD
作为在特定波长的光下反应以及转射特定线宽（模式）的高分子材料，用于TFT- LCD回路元件工程中的曝光(Lithography)工程。
LED
作为在特定波长的光下反应以及转射特定线宽（模式）的高分子材料，用于TFT- LCD回路元件工程中的曝光(Lithography)工程。
剥离剂
为去除Etch工程后残留的非纯物而使用的物质。
UV压印树脂
NIL (纳米压印技术)为高分子纳米结构的高通量模式化，提供价格低廉的光刻技术。
透明光刻胶
有机绝缘体泄漏电流低，履历特性少，可通过架桥制定模式，为有机溶剂赋予稳定性。此外，提供无机表面层可将作为传感器的有机物绝缘膜从感知环境保护，并提高与有机物半导体的粘合特性的材料。
YMR-2100
为去除Etch工程后残留的非纯物而使用的物质。
DV-2379LC
在作为Photo工程最后阶段的现场工程使用的物质，可选择性的去除曝光领域与未曝光领域，在贿赂形成模式的工程时，使用的物质。
LCR-Y110N / LCR-Y200A / CL-Y300A
光致抗蚀剂组成物的作用机制是在曝光工程中获光源的光散发生剂中形成酸，该酸引起光致抗蚀剂树脂的酸媒介反应。此时，使用负光致抗蚀剂时，会出现架桥反应，通过该反应产生曝光部分与未曝光部分的显影剂的溶解度差异，从而形成模式。
SCR-100
光致抗蚀剂组成物的作用机制是在曝光工程中获光源的光散发生剂中形成酸，该酸引起光致抗蚀剂树脂的酸媒介反应。此时，正光致抗蚀剂组成物将引发脱保护反应，通过该反应产生曝光部分与未曝光部分的显影剂的溶解度差异，从而形成模式。
PSS-Wafer-Foundry-Service
为提高发光二极管的光效率，将蓝宝石晶片表面进行等离子体蚀刻，形成顶部具有尖形象的细微模式。
YPS-3000
为去除Etch工程后残留的非纯物而使用的物质。
YPS-1000
为去除Etch工程后残留的非纯物而使用的物质。
DV-2379
在作为Photo工程最后阶段的现场工程使用的物质，可选择性的去除曝光领域与未曝光领域，在贿赂形成模式的工程时，使用的物质。
YNP-4000L
光致抗蚀剂组成物的作用机制是在曝光工程中获光源的光散发生剂中形成酸，该酸引起光致抗蚀剂树脂的酸媒介反应。此时，使用负光致抗蚀剂时，会出现架桥反应，通过该反应产生曝光部分与未曝光部分的显影剂的溶解度差异，从而形成模式。
YPP-S10K
光致抗蚀剂组成物的作用机制是在曝光工程中获光源的光散发生剂中形成酸，该酸引起光致抗蚀剂树脂的酸媒介反应。此时，正光致抗蚀剂组成物将引发脱保护反应，通过该反应产生曝光部分与未曝光部分的显影剂的溶解度差异，从而形成模式。
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