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透明光刻胶
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贴文
标题
内容
名称
LED
作为在特定波长的光下反应以及转射特定线宽（模式）的高分子材料，用于TFT- LCD回路元件工程中的曝光(Lithography)工程。
PSS-Wafer-Foundry-Service
为提高发光二极管的光效率，将蓝宝石晶片表面进行等离子体蚀刻，形成顶部具有尖形象的细微模式。
YPS-3000
为去除Etch工程后残留的非纯物而使用的物质。
YPS-1000
为去除Etch工程后残留的非纯物而使用的物质。
DV-2379
在作为Photo工程最后阶段的现场工程使用的物质，可选择性的去除曝光领域与未曝光领域，在贿赂形成模式的工程时，使用的物质。
YNP-4000L
光致抗蚀剂组成物的作用机制是在曝光工程中获光源的光散发生剂中形成酸，该酸引起光致抗蚀剂树脂的酸媒介反应。此时，使用负光致抗蚀剂时，会出现架桥反应，通过该反应产生曝光部分与未曝光部分的显影剂的溶解度差异，从而形成模式。
YPP-S10K
光致抗蚀剂组成物的作用机制是在曝光工程中获光源的光散发生剂中形成酸，该酸引起光致抗蚀剂树脂的酸媒介反应。此时，正光致抗蚀剂组成物将引发脱保护反应，通过该反应产生曝光部分与未曝光部分的显影剂的溶解度差异，从而形成模式。
YPP-3002
光致抗蚀剂组成物的作用机制是在曝光工程中获光源的光散发生剂中形成酸，该酸引起光致抗蚀剂树脂的酸媒介反应。此时，正光致抗蚀剂组成物将引发脱保护反应，通过该反应产生曝光部分与未曝光部分的显影剂的溶解度差异，从而形成模式。
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