半导体

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半导体

Wafering

Wafering用硅晶体制造晶片的过程，该工序一般由同一晶体同时切割多个晶片的多线切割机（multi-wire saw）来执行。最终，该晶片研磨成想要的平坦度及厚度。
CMP

CMP(化学机械平面化或抛光)将圆片贴附在以聚氨酯制造的抛光垫上的状态下，将含数百nm大小的抛光剂（有研磨作用的）的泥浆分散在抛光垫表面，诱导薄膜的化学反应，将贴有支持圆片的抛光载体与抛光垫的抛光板高速旋转，将重整的薄膜表面机械性去除，将因元件配线的绝缘膜段差弄平坦，并分离元件分离的半导体前工程可使用。
旋装式碳膜

随着半导体元件模式大小减少，在打造70nm以下模式时，利用原有的PR减少厚度时，在Etch工程中按照所要求厚度刻模式时，光致抗蚀剂具有崩溃的可能性。
为改善这一点，应使用SOC聚合物，在SOC聚合物层上面实用光致抗蚀剂，在Etch工程中按照所要求厚度刻模式，也可防治光致抗蚀剂崩溃，作为支持体使用。
冲洗溶液

Photo工程时使用的物质，显影剂工程后，利用D.I. water清洗时，为防止模式受损而使用的物质。
Promoter

为加速氧化而使用的物质。
腐蚀剂

利用化学反应去除印刷回路基板上存在的不需要的金属而使用的物质。
显影剂

在Photo工程最后阶段，即现场工程中使用的物质，选择性的去除曝光的领域与未曝光的领域，在回路形成模式的工程中使用的物质。
TARC

(顶部抗反射涂料) 随着半导体元件模型大小减少，在进行曝光工程时，反射率最低应维持1%以内，才能形成均等的模型，利用光刻技术形成模型中曝光时，在膜顶层处理反射防止膜，用于光致抗蚀剂內改善反射光及散射现象。
BARC

(底部抗反射涂料)随着半导体元件模型大小减少，在进行曝光工程时，反射率最低应维持1%以内，才能形成均等的模型，利用光刻技术形成模型中曝光时，根据底部膜层防止光反射以及去除定在波用的吸光剂与包含其在内的有机反射防止膜。
TSV厚膜光阻

开发包括最新技术在内的多种封装程序用光致抗蚀剂，并将其商用化。封装程序用光致抗蚀剂可用于过包括圆片等级RDL、TSV在内的多种生产技术。
KrF光致抗蚀剂

本公司针对248nm波长，制造胶片厚度为0.30um至12.0um的工程适用KrF光致抗蚀剂产品。KrF光致抗蚀剂产品系列中，正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂均可生产。若您为开发项目，正寻找KrF光致抗蚀剂解决方案，可联系本公司，我们将提供有关产品系列的更加具体的数据。
I-线光刻胶

本公司针对365nm波长，制造胶片厚度为0.1um至6.0um的工程适用i-线光致抗蚀剂产品。i-线光致抗蚀剂产品系列中，正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂均可生产。
若您为开发项目，正寻找i-线光致抗蚀剂解决方案，可联系本公司，我们将提供有关产品系列的更加具体的数据。
凹凸光刻胶

提供为满足最近发展的圆片级封装、MEMS及3D影印法等应用产品的窄齿距与各种地势而设计的正调及负调光致抗蚀剂。可与包括铜、纯锡及镍在内的各种金属的镀金化学物质互换。
YSO-800

YSO-800是晶片切削工艺中使用的油性切削流体，具有优秀的冷却功能及润滑性、极压性及防锈性，并且对SiC污泥的适当保持粘度及防止压缩沉降有有卓越的效果。
YPCC-2000

化学机械抛光后的腐蚀控制和腐蚀去除。

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