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Transparent Photoresist
UV Imprint Resin
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LED
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LED
특정한 파장의 빛에 반응 및 특정한 선폭(Pattern)을 전사할 수 있게 하는 고분자 재료로 TFT- LCD 회로 소자 공정 중 노광(Lithography)공정에 사용되고 있습니다.특정한 파장의 빛에 반응 및 특정한 선폭(Pattern)을 전사할 수 있게 하는 고분자 재료로 TFT- LCD 회로 소자 공정 중 노광(Lithography)공정에 사용되고 있습니다.
PSS Wafer Foundry Service
발광 다이오드의 광 효율을 향상하기 위해 sapphire wafer 표면을 Plasma 식각하여 상부가 뾰족한 형상을 가지는 미세 패턴을 형성시킵니다.
YPS-3000
Etch 공정 후 존재하는 불순물들을 제거하기 위하여 활용하는 물질입니다.
YPS-1000
Etch 공정 후 존재하는 불순물들을 제거하기 위하여 활용하는 물질입니다.
DV-2379
Photo 공정의 마지막 단계인 현상 공정에서 활용되는 물질로써, 노광 된 영역과 노광 되지 않은 영역을 선택적으로 제거하여 회로에 패턴을 형성하는 공정 시 사용하는 물질입니다.
YNP-4000L
포토레지스트 조성물의 작용 기전은, 노광 공정에서 광원을 받은 광산 발생제에서 산이 형성되고 이 산이 포토레지스트 수지의 산 촉매 반응을 야기합니다. 이때 네거티브 포토레지스트를 이용할 경우에는 가교 반응이 일어나게 되며, 이런 반응을 통해서 노광된 부분과 노광이 안 된 부분의 현상액에 대한 용해도 차이를 갖게 하여 패턴을 형성하게 됩니다.
YPP-S10K
Photoresist 조성물의 작용 기전은, 노광 공정에서 광원을 받은 광산 발생제에서 산이 형성되고 이 산이 Photoresist 수지의 산 촉매 반응을 일으킵니다. 이때 positive Photoresist 조성물은 탈 보호 반응이 일어나며, 이런 반응을 통해서 노광 된 부분과 노광이 안 된 부분의 현상액에 대한 용해도 차이를 갖게 하여 패턴을 형성하게 됩니다.
YPP-3002
포토레지스트 조성물의 작용 기전은, 노광 공정에서 광원을 받은 광산 발생제에서 산이 형성되고 이 산이 포토레지스트 수지의 산 촉매 반응을 야기합니다. 이때 포지티브 포토레지스트 조성물은 탈보호 반응이 일어나며, 이런 반응을 통해서 노광된 부분과 노광이 안 된 부분의 현상액에 대한 용해도 차이를 갖게 하여 패턴을 형성하게 됩니다.
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